WO₃やMoO₃は、H⁺、Li⁺、Na⁺などのカチオンを結晶格子内に挿入することで物性が大きく変化する酸化物半導体です。これらの半導体材料は、古くから電気二重層キャパシタや二次電池、スマートウィンドウなどへの応用研究が進められてきました。近年では、電気化学的なイオンの挿入・脱離によって生じる伝導率の時間応答を利用したニューロモルフィックデバイスへの応用が、精力的に進められています。MoO₃には、熱力学的に安定な直方晶（orthorhombic, α）相と、準安定な単斜晶（monoclinic, β）相が存在します。これまで、さまざまな方法でα-MoO₃薄膜が成膜されており、デバイス応用に向けた研究が盛んに行われてきました。一方で、β-MoO₃に関しては、成膜法やデバイス応用に関する報告が少ないのが現状です。私たちはこれまでに、分子線エピタキシー（MBE）法を用いて、格子整合性のあるLSAT基板上にβ-MoO₃薄膜をエピタキシャル成長させることに成功しています。また、MBE法で成長したβ-MoO₃薄膜に電気化学的にプロトンを注入することで、電気的および光学的特性が大きく変化することも明らかにしてきました。