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研究・メンバー紹介
INTRODUCTION

藤元 章
技術イノベーション拠点
デバイス開発グループ

工学部 一般教育科 准教授

◆ これまでの代表的な外部資金獲得実績

  • 1) 金属を表面吸着させたグラフェンなどの原子層薄膜の電気特性の解明と電子デバイス応用,基盤研究C (4,940千円, 2016年度~2018年度),研究代表者:藤元 章

◆ 産官学連携の実績

  • 1) 大阪産業技術研究所 和泉センター:グラフェントランジスタの作製やそのチタンクリーニングプロセスの研究を,佐藤和郎先生,村上修一先生と共同で進めています。大阪産業技術研究所 森之宮センター:遷移金属元素や希土類元素をドーピングしたITOナノ粒子の研究を,中許昌美先生,柏木行康先生,斉藤大志先生と共同で進めています。

◆ 最近の主な研究業績

  • 1) A. Fujimoto, C. A. Joiner, Y. Jiang, D. Terasawa, A. Fukuda, Z. Jiang and E. M. Vogel “Negative magnetoresistance in Ti-cleaned single-layer graphene” Journal of Physics: Conference Series 603, 012021, (2015)
  • 2) A. Fujimoto, T. Roy , L. Liu, S. de la Barrera, B. Chakrabarti, Z. R. Hesabi, C. A. Joiner, R. M. Feenstra, G. Gu, and E. M. Vogel “Study of Coulomb Drag in Double-Layer Graphene with h-BN Tunnel Dielectric” Extended Abs. of 33rd Electronic Materials Symposium, 85-86 (2014)
  • 3) T. Roy, Z. Hesabi, C. Joiner, A. Fujimoto and E. Vogel “Barrier Engineering for Double Layer CVD Graphene Tunnel FETs” Microelectronics Engineering,Vol.109, 117-119 (2013)
  • 4) A. Fujimoto, K. Yoshida, T. Higaki, Y. Kimura, M. Nakamoto, Y. Kashiwagi, M. Yamamoto, M. Saitoh, T. Ohno and S. Furuta “Negative Magnetoresistance of Indium Tin Oxide Nanoparticle Thin Films Grown by Chemical Thermolysis” Journal of Physical Society of Japan,Vol.82, 024710 (2013)
  • 5) A. Fujimoto,T. Higaki, Y. Kimura, Y. Matsuura, T. Kamimura,M. Nakamoto, Y. Kashiwagi, M. Yamamoto, M. Saitoh, T. Ohno, S. Furuta “Effect of iron doping for indium tin oxide nanoparticle thin films” Extended Abs. of 31th Electronic Material Symposium, 135-136 (2012)
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関連リンク

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