前元利彦 | 研究・メンバー紹介 | 地域産業支援プラットフォーム OIT-P

前元利彦

技術イノベーション拠点
デバイス開発グループ

工学部電気電子システム工学科教授

◆ これまでの代表的な外部資金獲得実績

1) 酸化物半導体を用いた透明ダイオードの開発とエナジーハーベスティング回路への応用，科研費基盤研究(C) (４4,680千円，2016年度～2018年度)，研究代表者：前元利彦，分担者：吉村勉
2) Ｓｉ基板上III－V族半導体／Ｈｉｇｈ－ｋゲートを用いた新構造トランジスタの開発，科研費基盤研究(C) (3,900千円，2011年度～2013年度），研究代表者：前元利彦，分担者：井上正崇，佐々誠彦
3) ギガヘルツ動作を可能にする酸化亜鉛トランジスタの開発，科研費基盤研究(C) (2,860千円，2010年度～2012年度），研究代表者：佐々誠彦，分担者：前元利彦
4) 半導体ナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形メカニズムの解明と制御，科研費基盤研究(B) (18,330千円，2010年度～2012年度），研究代表者：葛西誠也（北海道大学），分担者：前元利彦
5) 半導体量子ナノ構造を用いた超高感度テラヘルツ波計測技術の開発，科研費基盤研究(C) (4,030千円，2007年度～2008年度），研究代表者：前元利彦，分担者：井上正崇，佐々誠彦
6) 極薄超格子構造中のサブバンド間遷移を利用した小型波長可変テラヘルツ波検出器の開発，科研費基盤研究(C) (3,250千円，2006年度～2007年度），研究代表者：井上正崇，分担者：佐々誠彦，前元利彦
7) 高誘電率(High-k)ゲートを用いたInAs/AISb系高速トランジスタの開発，若手研究(B) (2,500千円，2005年度～2006年度），研究代表者：前元利彦
8) レーザMBE法で成長した高誘電率ゲート膜を用いたInAs系高速トランジスタの開発，住友財団2005年度基礎科学研究助成 (1,000千円，2005年度～2006年度），研究代表者：前元利彦

◆ 最近の主な研究業績

1) Y. Sun, K. Ashida, S. Sasaki, M. Koyama, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, I. Iniguez-de-la-Torre and T. Gonzalez “Fabrication and Characterization of Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistors and Self-Switching Nano-Diodes” Journal of Physics: Conference Series 647 (2015) pp. 012068(1)-(4).
2) M. Kozub, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi “Reflection Layer Mediated Enhancement of Terahertz Radiation Utilizing Heavily-Doped InAs Thin Films” J. Infrared Milli Terahz Waves, vol. 5 (2015) pp. 423-429.
3) M. Yano, K. Koike, K. Mukai, T. Onaka, Y. Hirofuji, K. Ogata, S. Omatu, T. Maemoto, S. Sasa “Zinc oxide ion-sensitive field-effect transistors and biosensors” Phys. Status Solidi A 211 (2014) pp. 2098-2104.
4) K. Koike, K. Mukai, T. Onaka, T. Maemoto, S. Sasa, M. Yano “A potentiometric immunosensor based on a ZnO field-effect transistor” Japanese Journal of Applied Physics 53 (2014) 05FF04 (4pp).
5) Y. Kimura, Y. Sun, T. Maemoto, S. Sasa, S. Kasai, and M. Inoue “Rectification effects of ZnO-based transparent nanodiodes on glass and flexible plastic substrates” Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) pp. 06GE09 (3pp).
6) 木村祐太，日垣友宏，前元利彦，佐々誠彦 “室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製” 材料 61-9 (2012) pp.760-765.
7) 佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一 “高性能酸化亜鉛系FET と酸化物デバイス応用の広がり” 電子情報通信学会誌 95-4 (2012) pp. 289-293 (Invited).

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