佐々誠彦 | 研究・メンバー紹介 | 地域産業支援プラットフォーム OIT-P

佐々誠彦

技術イノベーション拠点
デバイス開発グループ

工学部電気電子システム工学科教授

1) 高品質InAs薄膜を利用した高強度テラヘルツパルス光源の開発，科研費基盤研究(C) (3,900千円，2016年度～2018年度)，研究代表者：佐々誠彦，分担者：小山政俊
2) ギガヘルツ動作を可能にする酸化亜鉛トランジスタの開発，科研費基盤研究(C) (2,860千円，2010年度～2012年度)，研究代表者：佐々誠彦，分担者：前元利彦

1) M. A. Kozub, M. Motyka, M. Dyksik, G. Sek, J. Misiewicz, K. Nishisaka, T. Maemoto, and S. Sasa “Non-destructive carrier concentration determination in InAs thin films for THz radiation generating devices using fast differential reflectance spectroscopy” Opt. Quant. Electron, vol. 48, pp. 384 (9pp.) 2016.
2) M. Kozub, K. Nishisaka, T. Maemoto, S. Sasa, K. Takayama, and M. Tonouchi “Reflection Layer Mediated Enhancement of Terahertz Radiation Utilizing Heavily-Doped InAs Thin Films” J. Infrared Milli THz Waves, vol. 36, p. 423-429 (2015).
3) 佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一 “高性能酸化亜鉛系FET と酸化物デバイス応用の広がり” 電子情報通信学会誌 95-4 (2012) pp. 289-293 (Invited).