研究内容
テラヘルツ時間分解分光法用に安価で扱いが容易な、パルスのテラヘルツ光源を開発しています。パルス光源として現在は、光スイッチと呼ばれる素子が利用されています。この素子は、外部から電圧を印加するため間隔10
μm程度の電極構造を持ち、そのギャップ部分にパルスレーザ光を照射してテラヘルツパルスを発生するものです。素子の原理上、パルス光を電極のギャップ部分に当てるよう調整する必要があり、扱いが困難な場合があります。これに対し、我々の素子は、電極構造なしでテラヘルツ波を発生します。従来、高価なInAsバルク基板が使われていましたが、我々は、InAsの薄膜をMBE法（分子線結晶成長法）によって安価なGaAs基板上に成長した薄膜を使用することで、InAsバルク基板に比べ，２倍以上の強度を実現しました。
応用例・展望
テラヘルツ時間分解分光法は、美術品の非破壊検査などに用いられはじめています。肉眼などでは見えない、下層部の構造を、上層の物質を取り除くことなく調べることができるという特徴を持っています。
その他、特殊なコーティングを施したものを非破壊で調べることができ、従来は寿命などを推測していたものを正確に調べることができます。
