研究内容
グラフェンは高い電子・正孔移動度を持ち，次世代トランジスタの材料の可能性も秘めています。単層グラフェンや2層グラフェンのトンネル電界効果トランジスタを作製し、その電気特性について研究を行っています。最近、様々な原子層薄膜を積層させたファンデルワールスヘテロ接合や、グラフェン表面に異種原子・分子を吸着させた系などに注目が集まっていますが、本研究でも、グラフェン以外にMoS2薄膜の作製や、グラフェン表面にIn2O3ナノ粒子を表面吸着させたトランジスタを作製しています。また、遷移金属元素のFeや希土類元素のDyを添加した酸化インジウムスズ(Fe-ITO，Dy-ITO)の薄膜を作製しています。これらをガラス基板上にスピンコートすることが可能で、プリンテッドエレクトロニクスを実現することができます。
応用例・展望
グラフェンなどの原子層薄膜は1層から数層の薄膜なので、材料の表面状態により電気特性が敏感に変化します。このことを利用して、ガスセンサーなどのデバイスへの展開が期待されます。グラフェンと異種材料の組み合わせにより、超伝導などの新しい機能を付加させることができます。また、様々な希土類元素をITOに添加する技術が確立できれば、LEDなどの発光デバイスへの応用も期待できます。
