光励起過渡現象の解明とテラヘルツ波放射応答の制御

半導体表面をフェムト秒レーザーで励起すると、サブピコ秒領域において電子や原子の様々な過渡現象が生じます。過渡現象はテラヘルツ波放射や誘電率変調をもたらすことから、光機能性の開拓において注目されています。本研究室では、半導体表面状態を制御する方法を開発し、実験面では新規な分光手法を開発して適用することで過渡現象ダイナミクスの解明とテラヘルツ波放射応答の制御を目指しています。