非破壊測定，ガン検査などへの応用が期待されるテラヘルツ時間領域分光測定用の安価で取り扱いが容易な光源の開発を行っています．半導体薄膜やヘテロ構造を利用し，性能向上を図っています．従来，光源励起用に使われていた大型で高価なチタンサファイアレーザーに替え，小型で安価なファイバーレーザーを使用できる素子を開発しています．
周波数が 100 GHz から 10 THz の領域はテラヘルツ領域とよばれ，未開拓な電磁波領域として近年盛んに研究が進められています。その中でもテラヘルツ時間領域分光法と呼ばれる超短光パルスを用いた測定が，ガン検査などの医療応用や美術品などの非破壊検査への応用に期待されています。そのパルス光源には，光スイッチと呼ばれる素子が使われていますが，活性部分がミクロンサイズと小さく，使用には正確な位置合わせが必要となります。
我々は，光スイッチに代わり，取扱の容易な光パルス光源の開発を行っています。このような光源として従来は InAs （インジウムヒ素）や InSb （インジウムアンチモン）と呼ばれる，希少元素からなる半導体基板が使われてきましたが，基板自身が高価であるという問題がありました。我々の目指すところは，このような光源を安価な半導体基板上に薄膜として形成し，安価で取扱の容易なパルス光源を開発することです。
資料の作製には，分子線結晶成長法とよばれる方法を使用し，GaAs（ガリウムヒ素）など比較的安価な基板の上に InAs やそれをベースにしたヘテロ構造という人工的な構造を付加して高強度な光源の開発を目指しています。
最初に開発した光源はGaAs基板上に InAs 薄膜を作製したもので，従来の基板が0.5 mm であったものを 1 µm の薄膜にして作製しました。薄膜の品質は基板におとるものの，放射されるテラヘルツ波の強度が基板を上まわるということを世界で初めて明らかにしました。
その後，放射強度増強のメカニズムを明らかにし，放射強度を増強する新しい構造を提案し続けています。
従来の光源は，大型のチタン・サファイアレーザーを使って波長 800 nm の光により励起し，テラヘルツ波を発生させるものであったが，光通信で普及した小型で安価なファイバーレーザーを光源とすることで，より安価なシステムを構成することが可能となる．そこで，ファイバーレーザーの波長 1.56 µm での動作をめざした新たな光源の開発を進めています。
InAs と InGaSb のヘテロ構造を作製することで，この波長でも増強効果が得られることが確認されました．
論文
「Intense Terahertz Radiation from InAs Thin Films」(2011)『J Infrared Milli Terahz Waves』32p.646.
「Reflection Layer Mediated Enhancement of Terahertz Radiation Utilizing Heavily-Doped InAs Thin Films」(2015)『J Infrared Milli Terahz Waves』36p.423.
「Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm」(2020)『IEEE Xplore』
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