二硫化モリブデン/グラフェンの電界効果トランジスタ

〔概要〕酸化膜付きのSi基板上にMoを電子ビーム蒸着させ，Moを硫化させることにより二硫化モリブデン薄膜を作製した．この二硫化モリブデンのトランジスタ動作も確認した．SiO2上の二硫化モリブデン/グラフェンのヘテロ接合では，電流-電圧特性では線形性が得られたが，AlOx上では非線形性が得られた．本研究のMoS2結晶内にp型領域およびn型領域が生じることでショットキー性を示したと考えられる．