+4 長谷川 尊之 フェムト秒レーザで励起される超高速過渡現象の解明とテラヘルツ波放射の制御 半導体表面にフェムト秒レーザーを照射すると、サブピコ秒領域において電子や原子の様々な過渡現象が励起されます。過渡現象はテラヘルツ波放射や誘電率変調など多様な応答をもたらすことから、光機能デバイスへの応用の観点から注目を集めています。本研究室では、過渡現象と関連のある半導体表面状態を変化させる方法を開発し、さらに、独自の分光システムを整備することで、過渡現象ダイナミクスの解明とテラヘルツ波放射の制御を目指しています。