溶液塗布熱分解法を用いた酸化物半導体・誘電体薄膜の作製
非真空プロセスによる高品質薄膜の作製
工学部
電子情報システム工学科
半導体ナノシステム研究室
矢野満明
教授
次世代電子デバイスに欠かせない酸化物半導体や酸化物誘電体は、スパッタリングなどの物理堆積法や化学気相堆積法を用いて作製されてきました。これらの方法は、成膜プロセスに真空を必要とする所謂「真空プロセス」です。しかし、酸素が不純物とならない材料であることから、装置コストやユーティリティコストが大幅に節約できる「非真空プロセス」でも高品質膜を作製できる可能性があります。当研究室では、代表的な非真空プロセスである「溶液塗布熱分解法」で酸化物半導体薄膜や酸化物誘電体薄膜を作製する方法を研究しています。
論文
「液相薄膜堆積法ー塗布法ー」(2020)矢野満明 ほか2名『2020年版 薄膜作製応用ハンドブック(權田俊一編),エヌ・エス・ティ―』p.477-483.
「溶液塗布熱分解法で作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の特性評価」(12019)矢野満明 ほか6名『材料』68p.745-750.
「Gas sensing characteristics of a WO3 thin film prepared by a sol-gel method」(2018)YanoMitsuaki et al.『Proceedings 2018』2p. https://doi.org/10.3390/proceedings2130723 .