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研究テーマ
ナノ・材料
学科の分類
工学部電気電子システム工学科ナノ材料マイクロデバイス研究センター

分極デバイス応用を目指した酸化ガリウム薄膜の研究

工学部

電気電子システム工学科

次世代デバイス・プロセス研究室

小山政俊 講師

共同研究者

佐々誠彦
前元利彦
矢野満明
小池一歩

ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスや深紫外線検出器への応用が期待される酸化ガリウム薄膜に注目しています。特に準安定相構造の一つである ε 相の酸化ガリウムは自発分極による分極デバイスへの応用が期待されます。準安定相の成膜に適した手法であるミストCVD法を用いた高品質な薄膜の成膜とそのデバイス応用を検討しています。

■研究シーズの特徴

  • 準安定相構造の成膜に適したミストCVD装置を用いてε 相単相の酸化ガリウム薄膜を3C-SiCテンプレート基板上にヘテロエピタキシャル成膜することに成功しました。
  • ε 相特有の分極を利用したデバイス（ヘテロ構造による２次元電子ガス形成，強誘電性薄膜）や深紫外線検出デバイスへの応用を目指します。

論文

「The thermal stability of epsilon-Ga2O3 thin films grown on (111) 3C-SiC template substrates」(2019)KoyamaMasatoshi『IEEE Xplore, Compound Semiconductor Week (CSW)』

研究者INFO: 工学部 電気電子システム工学科 次世代デバイス・プロセス研究室 小山政俊 講師

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