シミュレーションによる半導体デバイスの解析・設計支援技術
情報科学部
情報知能学科
数理応用システム研究室
鎌倉良成 教授
[概要] コンピュータシミュレーションを用いて、半導体素子の特性を解析する研究を行っています。ナノ~マイクロメートルスケールにおける電子や原子、あるいは熱の挙動を独自開発した粒子シミュレータで高精度に予測し、より高性能で信頼性の高い半導体素子設計に役立てることを目指しています。
論文
「Ab Initio Study of Avalanche Breakdown in Diamond for Power Device Applications」(2015)KamakuraYoshinari『Technical Digest of International Electron Devices Meeting』p.176-179.
「The theoretical highest frame rate of silicon image sensors」(2017)EtohGoji『Sensors』17(3)p.483.
「Estimation of Phonon Mean Free Path in Small-Scaled Si Wire by Monte Carlo Simulation」(2020)SuzukiYuhei『Proceedings of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 』to be presented on Sep. 23, 2020 (see, https://sites.google.com/view/sispad2020)