周波数が 100 GHz から 10 THz の領域はテラヘルツ領域とよばれ，未開拓な電磁波領域として近年盛んに研究が進められています。その中でもテラヘルツ時間領域分光法と呼ばれる超短光パルスを用いた測定が，ガン検査などの医療応用や美術品などの非破壊検査への応用に期待されています。そのパルス光源には，光スイッチと呼ばれる素子が使われていますが，活性部分がミクロンサイズと小さく，使用には正確な位置合わせが必要となります。

　我々は，光スイッチに代わり，取扱の容易な光パルス光源の開発を行っています。このような光源として従来は InAs （インジウムヒ素）や InSb （インジウムアンチモン）と呼ばれる，希少元素からなる半導体基板が使われてきましたが，基板自身が高価であるという問題がありました。我々の目指すところは，このような光源を安価な半導体基板上に薄膜として形成し，安価で取扱の容易なパルス光源を開発することです。