右図はテラヘルツ波時間波形計測システムの主要部分を撮影したものです。半導体試料から放射されるテラヘルツ波を放物面鏡を用いて集め、もう一方の放物面鏡によって電気光学結晶に照射させます。そして、テラヘルツ電場によって生じる電気光学結晶の屈折率変化を、近赤外光を用いて検出します（挿入図は電気光学結晶を通る近赤外光の様子）。本計測システムに組み込んた手作りの装置を2つご紹介します。

1. 窒素パージボックス
　テラヘルツ波は水分子に強く吸収される性質があるため、精密な調査を行うためにはテラヘルツ波の経路中の水蒸気を低減させる必要があります。下左図は、手作りの窒素パージボックスです。必要な光学実験部品をボックス内に設置し、レーザー光は側面に取り付けた光学窓から入射させます。調整の度にボックスを開けることは実験の足枷になるため、調節が必要な部品を外部制御できる機構を組み込んでいます。

2. 試料温度制御ステージ

　半導体の物性は、その温度に依存して大きく変化します。テラヘルツ波放射特性の温度依存性の調査を可能にするために、コンパクト、無振動、及び位置調整機構を有する温度制御ステージを作製しました。本ステージにより、試料温度が-10℃~50℃の範囲でテラヘルツ波放射特性を調査することが可能です。