シミュレーションによる半導体デバイスの解析・設計支援技術
[概要] コンピュータシミュレーションを用いて、半導体素子の特性を解析する研究を行っています。ナノ～マイクロメートルスケールにおける電子や原子、あるいは熱の挙動を独自開発した粒子シミュレータで高精度に予測し、より高性能で信頼性の高い半導体素子設計に役立てることを目指しています。
分極デバイス応用を目指した酸化ガリウム薄膜の研究
ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスや深紫外線検出器への応用が期待される酸化ガリウム薄膜に注目しています。特に準安定相構造の一つである ε 相の酸化ガリウムは自発分極による分極デバイスへの応用が期待されます。準安定相の成膜に適した手法であるミストCVD法を用いた高品質な薄膜の成膜とそのデバイス応用を検討しています。
■研究シーズの特徴
- 準安定相構造の成膜に適したミストCVD装置を用いてε 相単相の酸化ガリウム薄膜を3C-SiCテンプレート基板上にヘテロエピタキシャル成膜することに成功しました。
- ε 相特有の分極を利用したデバイス（ヘテロ構造による２次元電子ガス形成，強誘電性薄膜）や深紫外線検出デバイスへの応用を目指します。
論文
「The thermal stability of epsilon-Ga2O3 thin films grown on (111) 3C-SiC template substrates」(2019)『IEEE Xplore, Compound Semiconductor Week (CSW)』
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